長汐晃輔教授がCREST「ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術」領域に採択

長汐晃輔 教授の研究が、JST 戦略的創造研究推進事業(CREST)「ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術」領域に採択されました。