吉川 健准教授
- 所在地
- 153-8505東京都目黒区駒場 4-6-1 生産技術研究所 Fw704
- TEL
- 03-5452-6345
- FAX
- 03-5841-6347
- t-yoshi[at]iis.u-tokyo.ac.jp
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- 研究分野
- 高温材料物理化学、溶液成長、高温界面科学
主要研究内容
持続的な材料社会構築へ向け、資源・材料の高効率利用技術や低負荷材料製造法の確立が不可欠です。我々は、状態図や熱力学を駆使して社会基盤材料の製造プロセスを設計・最適化を図るとともに、高温物理化学の観点から先端材料製造に取り組んでいます。現在は以下のような研究を行っています。
(a) シリコン、AlN、SiCなどの半導体材料の溶液成長
(b) 高温下固液、液液界面のその場観察
(c) 溶融金属-酸化物間の平衡・非平衡反応
(d) 高温材料の界面科学(表面エネルギー、界面エネルギー、界面反応)
主要研究論文
Y. Ninomiya, H. Sasaki, T. Yoshikawa, M. Maeda: “Direct Observation of Pure Cu and Cu-Ag Anode Passivation in H2SO4-CuSO4 Aqueous Solution by Channel Flow Double Electrode and Optical Microscopy”, Metallurgical and Materials Transactions B 50(1) (2018) 407–415.
H. Daikoku, S. Kawanishi, T. Yoshikawa: “Mechanism of Replicating Polytype of 4H-SiC by Solution Growth on Concave Surface”, Crystal Growth & Design 18(7) (2018) 3820–3826.
S. Kawanishi, T. Yoshikawa: “In Situ Interface Observation of 3C-SiC Nucleation on Basal Planes of 4H-SiC During Solution Growth of SiC from Molten Fe-Si Alloy”, The Journal of The Minerals, Metals & Materials Society 70(7) (2018) 1239–1247.
T. Narumi, Y. Shibuta, T. Yoshikawa: “Molecular Dynamics Simulation of Interfacial Growth of SiC from Si-C Solution on Different Growth Planes”, Journal of Crystal Growth 494 (2018) 36–43.