持続的な材料社会構築へ向け、資源・材料の高効率利用技術や低負荷材料製造法の確立が不可欠です。我々は、状態図や熱力学を駆使して社会基盤材料の製造プロセスを設計・最適化を図るとともに、高温物理化学の観点から先端材料製造に取り組んでいます。現在は以下のような研究を行っています。
(a) シリコン、AlN、SiCなどの半導体材料の溶液成長
(b) 高温下固液、液液界面のその場観察
(c) 溶融金属－酸化物間の平衡・非平衡反応　
(d) 高温材料の界面科学（表面エネルギー、界面エネルギー、界面反応)

Y. Ninomiya, H. Sasaki, T. Yoshikawa, M. Maeda: “Direct Observation of Pure Cu and Cu-Ag Anode Passivation in H2SO4-CuSO4 Aqueous Solution by Channel Flow Double Electrode and Optical Microscopy”, Metallurgical and Materials Transactions B 50(1) (2018) 407–415.
H. Daikoku, S. Kawanishi, T. Yoshikawa: “Mechanism of Replicating Polytype of 4H-SiC by Solution Growth on Concave Surface”, Crystal Growth & Design 18(7) (2018) 3820–3826.
S. Kawanishi, T. Yoshikawa: “In Situ Interface Observation of 3C-SiC Nucleation on Basal Planes of 4H-SiC During Solution Growth of SiC from Molten Fe-Si Alloy”, The Journal of The Minerals, Metals & Materials Society 70(7) (2018) 1239–1247.
T. Narumi, Y. Shibuta, T. Yoshikawa: “Molecular Dynamics Simulation of Interfacial Growth of SiC from Si-C Solution on Different Growth Planes”, Journal of Crystal Growth 494 (2018) 36–43.