町田 友樹教授
- 所在地
- 〒153-8505東京都目黒区駒場4-6-1 東京大学生産技術研究所Ce-308
- TEL
- 03-5452-6742
- FAX
- 03-5452-6743
- tmachida[at]iis.u-tokyo.ac.jp
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- 研究分野
- グラフェン、ファンデルワールスヘテロ構造、低次元電子系、量子輸送現象、物性物理学
主要研究内容
グラフェン・ファンデルワールスヘテロ構造の物理現象と素子応用。
(1)グラフェンにおけるディラックフェルミオンの量子伝導
(2)ファンデルワールス複合原子層構造の作製と素子応用
(3)複合原子層スピントロニクス素子・超伝導ジョセフソン接合の実現
(4)縦型FET素子の特性向上・超高感度光検出器の開発
主要研究論文
S. Masubuchi, M. Morimoto, S. Morikawa, M. Onodera, Y. Asakawa, K. Watanabe, T. Taniguchi, and T. Machida, “Autonomous robotic searching and assembly of two-dimensional crystals to build van der Waals superlattices”, Nature Communications 9, 1413 (2018).K. Kinoshita, R. Moriya, M. Arai, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, and T. Machida,
“Photo-thermoelectric detection of cyclotron resonance in asymmetrically carrier-doped graphene two-terminal device”, Appl. Phys. Lett. 113, 103102 (2018).
Y. Hoshi, M. Okada, R. Moriya, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, R. Kitaura, and Tomoki Machida, “Effect of a pick-and-drop process on optical properties of a CVD-grown monolayer tungsten disulfide”, Phys. Rev. Materials 2, 064003 (2018).
研究内容
