教員紹介

近藤 高志教授

所在地
153-8904東京都目黒区駒場4-6-1 先端科学技術研究センター14号館 220号室
TEL
03-5452-5329
MAIL
tkondo[at]castle.t.u-tokyo.ac.jp
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研究室
http://www.castle.t.u-tokyo.ac.jp/
研究分野
化合物半導体，ペロブスカイト型半導体，フォトニクス材料，物理気相堆積法，分子線エピタキシー，ペロブスカイト太陽電池，非線形光学デバイス

主要研究内容

太陽電池や非線形光学デバイスなどのフォトニクス応用を念頭において化合物半導体とハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体の研究をおこなっています。分子線エピタキシー（MBE）を用いたユニークで高度な結晶成長技術をベースに，GaAsやAlGaAsを用いたレーザ光の波長変換デバイスの研究は長年取り組んできました。近年は，薄膜太陽電池の新しい材料として脚光を浴びているハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体に研究の焦点を移し，世界で最も早くからこの材料系の研究に取り組んできた実績をもとに，基礎物性の解明を進めるとともに，高機能フォトニクス応用を目指して，高品質ヘテロ構造の作製などに取り組んでいます。

主要研究論文

  1. T. Matsushita, Y. Nakamura, and T. Kondo, “Design of zigzag folded inversion-stacked AlGaAs waveguides for ultra-compact wavelength converters,” Opt. Express, 25 (2017) 22829.
  2. T.W. Kim, S. Uchida, T. Matsushita, L. Cojocaru, R. Jono, K. Kimura, D. Matsubara, M. Shirai, K. Ito, H. Matsumoto, T. Kondo, and H. Segawa, “Self-organized superlattice and phase coexistence inside thin film organometal halide perovskite,” Adv. Mater., 30 (2018) 1705230.
  3. Y. Nakamura, N. Shibayama, A. Hori, T. Matsushita, H. Segawa, and T. Kondo, “Crystal systems and lattice parameters of CH3NH3Pb(I1-xBrx)3 determined using single crystals: Validity of Vegard’s law,” Inorg. Chem., 59 (2020) 6709.

研究内容

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