電子デバイスの開発において新たなマテリアルの導入が決定的な役割を担うようになり，より高い機能を持つマテリアルの探索とともに，それを他のマテリアルと融合させた界面近傍のナノ空間における物性制御の研究の重要性が高まっています。そこで，最先端CMOSや次世代メモリーなどのデバイスや，高効率エネルギー変換を目指した次世代パワーデバイスに注目し，機能性薄膜の物性制御と界面ナノ空間の材料設計に関する研究を行っています。主な研究テーマには，
1) 高性能パワーデバイスのためのワイドギャップ半導体上の絶縁膜形成技術及びMOSFET高性能化技術の開発，
2) CMOS用ゲート絶縁膜の物性制御と界面現象の解明，
3)次世代メモリー応用のための強誘電体ナノ薄膜の形成技術等があります。

1. S. Niitayakasetwat, H. Momiyama and K. Kita,”Structural distortion in ferroelectric HfO2 – The factor that determines electric field-induced phase transformation”, Solid-State Electronics, 204，108639 (2023).
2. T. H. Kil and K. Kita, “Anomalous band alignment change of SiO2/4H-SiC (0001) and (000-1) MOS capacitors induced by NO-POA and its possible origin, Appl. Phys. Lett., 116, 122103 (2020).
3. H. Hirai and K. Kita, “Difference of near-interface strain in SiO2 between thermal oxides grown on 4H-SiC by dry-O2 oxidation and H2O oxidation characterized by infrared spectroscopy”, Appl. Phys. Lett. 110, 152104 (2017).
4. H. Kamata and K. Kita, “Design of Al2O3/SiO2 laminated stacks with multiple interface dipole layers to achieve large flatband voltage shifts of MOS capacitors”, Appl. Phys. Lett. 110, 102106 (2017).