教員紹介

長汐 晃輔教授

所在地
113-8656東京都文京区本郷 7-3-1　工学部4号館　340号室
TEL
03-5841-7161
FAX
03-5841-7161
MAIL
nagashio[at]material.t.u-tokyo.ac.jp
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研究室
https://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/
研究分野
2次元層状材料、電子デバイス，電子輸送特性、結晶成長

主要研究内容

低炭素社会を実現し情報社会の継続的な発展のためには、既存のSiデバイスが直面している微細化限界を克服する必要があり，新しい材料の導入が積極的に提案されています．まさに電子デバイスにおいてのマテリアルが活躍できる場であると考えています．次世代の電子デバイスの中心的な役割を果たすと期待される2次元層状物質系に着目して，電子輸送特性評価等の研究を進めています．

主要研究論文

  1. Y.-R. Chang, R. Nanae, S. Kitamura, T. Nishimura, H. Wang, Y. Xiang, K. Shinokita, K. Matsuda, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, “Shift current photovoltaics based on a noncentrosymmetric phase in in-plane ferroelectric SnS”, Adv. Mater., 2023, 35, 2301172.
  2. W. Nishiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, “Quantitative Determination of Contradictory Band Gap Values of Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties”, Adv. Funct. Mater., 2022, 32, 2108061.
  3. T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, K. Nagashio, “Material and Device Structure Designs for 2D Memory Devices Based on the Floating Gate Voltage Trajectory”, ACS nano, 2021, 15, 6658.
  4. N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, C.-J. Lee, B. -H. Lin, F. -H. Chu, I. Yonemori, T.i Nishimura, K. Wakabayashi, W. -H. Chang & K. Nagashio, “Purely in-plane ferroelectricity in monolayer SnS at room temperature”, Nature commun.,2020, 11, 2428.
  5. N. Fang, S. Toyoda, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, “Full energy spectra of interface state densities for n– and p-type MoS2 field-effect transistors”, Adv. Func. Mater. 2019, 29, 1904465.

研究内容

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