研究テーマ
クラスター支援メゾプラズマエピタキシーによる 高速・高品質GaN成膜の検討
本研究室ではメゾプラズマを用いた高品質かつ高速な単結晶Si堆積に成功している。そこで、このメゾプラズマを用いたGaN成膜について研究することとなった。
下準備としては、現行する他のプロセスで用いられる原料や基板、またそれらのプロセスが抱える問題点について、専門書や論文から学んだ。
実験
ほぼ手作りでできた、世界でただ一つの実験装置
本研究室においてGaN堆積を試みたのは、私の時で初めてであったので、研究はまず原料の調達やガスの配管を行うことから始まった。
実際の堆積を行うメゾプラズマCVD装置は、歴代の先輩方が色んな部品を組み立て、試行錯誤しながら改善してきたものであり、ほぼ全て手作りでできている。その装置に手を加える中で、私も装置の構造や動作原理を理解できるようになった。その知識は、実験の解析の際にも非常に重要になったと今では感じている。
発表
背景知識がない人にでも、伝わる内容を
同じ分野を勉強している人同士でも、研究室が違えばやっている内容も大きく変わってくる。そのため、、限られた時間の中でどこを話しどこを削るか、また、どの順番で話すかが重要となる。先輩や先生方にスライドを何度も校正していていただいたことは、大変ありがたかった。