星 裕介 講師

所在地 153-8505東京都目黒区駒場4-6-1 東京大学生産技術研究所FF-3c
TEL 03-5452-6754
FAX
yuhoshi[at]iis.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室
研究分野 結晶成長、ファンデルワールスヘテロ構造、ゲルマニウム

主要研究内容

半導体の結晶成長とデバイス応用に関する研究を行っています。主な研究は以下の通りです。
(1) 遷移金属ダイカルコゲナイドの光学特性
(2) ファンデルワールス複合原子層構造の作製とデバイス応用
(3) IV族半導体歪みヘテロ構造のデバイス応用

主要研究論文

Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki, "Ion dose, energy, species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique", J. Appl. Phys. 107, 103509 (2010),
Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Kohei Hamaya, Masanobu Miyao, and Yasuhiro Shiraki, "Formation of Tensilely Strained Germanium-on-Insulator", Appl. Phys. Express 5, 015701 (2012),
Yusuke Hoshi, Takeshi Tayagaki, Takanori Kiguchi, and Noritaka Usami, "Control of geometry in Si-based photonic nanostructures formed by maskless wet etching process and its impact on optical properties", Thin Solid Films 557, 338 (2014)