吉川 健 准教授

所在地 153-8505東京都目黒区駒場 4-6-1 生産技術研究所 Fw704
TEL 03-5452-6345
FAX 03-5841-6347
t-yoshi[at]iis.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.yoshi-lab.iis.u-tokyo.ac.jp/
研究分野 高温材料物理化学、溶液成長、高温界面科学

主要研究内容

持続的な材料社会構築へ向け、資源・材料の高効率利用技術や低負荷材料製造法の確立が不可欠です。我々は、状態図や熱力学を駆使して社会基盤材料の製造プロセスを設計・最適化を図るとともに、高温物理化学の観点から先端材料製造に取り組んでいます。現在は以下のような研究を行っています。
(a) シリコン、AlN、SiCなどの半導体材料の溶液成長
(b) 高温下固液、液液界面のその場観察
(c) 溶融金属-酸化物間の平衡・非平衡反応 
(d) 高温材料の界面科学(表面エネルギー、界面エネルギー、界面反応)

主要研究論文

R. Miyasaka, S. Kawanishi, T. Narumi, H. Sasaki, T. Yoshikawa, M. Maeda, “Solution growth of silicon carbide using unary chromium solvent.” Journal of Crystal Growth, 460 (2017) 23-26.
S. Kawanishi, M. Kamiko, T. Yoshikawa, Y. Mitsuda, K. Morita, “Analysis of the Spiral Step Structure and the Initial Solution Growth Behavior of SiC by Real-Time Observation of the Growth Interface.” Crystal Growth & Design, 16(9) (2016) 4822-4830.
T. Narumi, S. Kawanishi, T. Yoshikawa, K. Kusunoki, K. Kamei, H. Daikoku, H. Sakamoto, “Thermodynamic evaluation of the C–Cr–Si, C–Ti–Si, and C–Fe–Si systems for rapid solution growth of SiC.” Journal of Crystal Growth, 408 (2014) 25-31.