吉川 健 准教授

所在地 153-8505東京都目黒区駒場 4-6-1 生産技術研究所 Fw704
TEL 03-5452-6345
FAX 03-5841-6347
t-yoshi[at]iis.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.yoshi-lab.iis.u-tokyo.ac.jp/
研究分野 高温材料物理化学、溶液成長、高温界面科学

主要研究内容

持続的な材料社会構築へ向け、資源・材料の高効率利用技術や低負荷材料製造法の確立が不可欠です。我々は、状態図や熱力学を駆使して社会基盤材料の製造プロセスを設計・最適化を図るとともに、高温物理化学の観点から先端材料製造に取り組んでいます。現在は以下のような研究を行っています。
(a) 溶融金属-酸化物間の平衡・非平衡反応
(b) シリコン、SiCなどの半導体材料の溶液成長
(c) 高温材料の界面科学(表面エネルギー、界面エネルギー、界面反応)

主要研究論文

1) Takeshi Yoshikawa, Sakiko Kawanishi and Toshihiro Tanaka: “Solution growth of silicon carbide by using Fe-Si solvent” Japanese Journal of Applied Physics”, 49 (2010), 051302.
2) Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita, Sakiko Kawanishi and Toshihiro Tanaka: “Thermodynamics of Impurity Elements in Solid Silicon, Journal of Alloys and Compounds”, 490 (2010), 31–41.
3) Takeshi Yoshikawa and Kazuki Morita: “Refining of silicon during its solidification from a Si-Al melt”, Journal of Crystal Growth, 311(2009), 776-779.