近藤 高志 教授

所在地 153-0041東京都目黒区駒場4-6-1 先端科学技術研究センター14号館 220号室
TEL 03-5452-5329
FAX 03-5452-5329
tkondo[at]castle.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.castle.t.u-tokyo.ac.jp/
研究分野 化合物半導体,非線形光学材料,半導体レーザー,分子線エピタキシー,ペロブスカイト太陽電池

主要研究内容

半導体レーザや非線形光学デバイス,太陽電池などへの応用を目指して化合物半導体材料を研究しています。分子線エピタキシー(MBE)装置を用いたユニークで高度な結晶成長技術をベースに,様々な高機能フォトニックデバイスの開発を進めています。特に注力しているのは,GaAsやAlGaAsを用いたレーザ光の波長変換デバイスで,全光情報処理や各種分光応用,バイオセンシングなどへの展開を念頭に置いています。また,ハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体の物性研究とそれを用いた高効率薄膜太陽電池の開発にも取り組んでいます。

主要研究論文

1) T. W. Kim, T. Matsushita, and T. Kondo, "Phase-matched second-harmonic generation in thin rectangular high-index-contrast AlGaAs waveguides", Appl. Phys. Express, 4 (2011) 082201.
2) R. Narasaki, T. Matsushita, and T. Kondo, "Corrugation reduction in periodically inverted GaAs by molecular beam epitaxy growth using arsenic dimers", Appl. Phys. Express, 8 (2015) 025601.
3) H. Kunugita, T. Hashimoto, Y. Kiyota, Y. Udagawa, Y. Takeoka, Y. Nakamura, J. Sano, T. Matsushita, T. Kondo, T. Miyasaka, and K. Ema, "Excitonic feature in hybrid perovskite CH3NH3PbBr3 single crystals", Chem. Lett., 44 (2015) 852.