近藤 高志 教授

所在地 153-0041東京都目黒区駒場4-6-1 先端科学技術研究センター14号館 220号室
TEL 03-5452-5329
FAX 03-5452-5329
tkondo[at]castle.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.castle.t.u-tokyo.ac.jp/
研究分野 化合物半導体,非線形光学材料,半導体レーザー,分子線エピタキシー,ペロブスカイト太陽電池

主要研究内容

半導体レーザや非線形光学デバイス,太陽電池などへの応用を目指して化合物半導体材料を研究しています。真空蒸着法と分子線エピタキシー(MBE)を用いたユニークで高度な結晶成長技術をベースに,様々な高機能フォトニックデバイスの開発を進めています。GaAsやAlGaAsを用いたレーザ光の波長変換デバイスの研究は長年取り組んできているもので,現在はレーザ発振機能を集積化して,全光情報処理や各種分光応用,バイオセンシングなどへ応用可能な新規フォトニックデバイスの開発を進めています。また,ハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体を用いた革新的光デバイスを目指して,新しい結晶成長法や組成・導電性制御などの研究にも取り組んでいます。

主要研究論文

R. Narasaki, T. Matsushita, and T. Kondo, “Corrugation reduction in periodically inverted GaAs by molecular beam epitaxy growth using arsenic dimers,” Appl. Phys. Express, 8 (2015) 025601.
T. Matsushita, Y. Nakamura, and T. Kondo, “Design of zigzag folded inversion-stacked AlGaAs waveguides for ultra-compact wavelength converters,” Opt. Express, 25 (2017) 22829.
T.W. Kim, S. Uchida, T. Matsushita, L. Cojocaru, R. Jono, K. Kimura, D. Matsubara, M. Shirai, K. Ito, H. Matsumoto, T. Kondo, and H. Segawa, “Self-organized superlattice and phase coexistence inside thin film organometal halide perovskite,” Adv. Mater., 30 (2018) 1705230.