長汐 晃輔 准教授

所在地 113-8656東京都文京区本郷 7-3-1 工学部4号館 336号室
TEL 03-5841-7161
FAX 03-5841-7161
nagashio[at]material.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/
研究分野 グラフェン、2次元層状電子デバイス、電子輸送特性、結晶成長

主要研究内容

低炭素社会を実現し情報社会の継続的な発展のためには、既存のSiデバイスが直面している微細化限界を克服する必要があり,新しい材料の導入が積極的に提案されています.まさに電子デバイスにおいてのマテリアルが活躍できる場であると考えています.次世代の電子デバイスの中心的な役割を果たすと期待される単原子層であるグラフェンを中心とした2次元層状物質系に着目して,電子輸送特性評価等の研究を進めています.

主要研究論文

N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Ueno, and K. Nagashio, "Self-passivated ultra-thin SnS layers via mechanical exfoliation and post-oxidation", Nanoscale, 2018, 10, 22474 – 22483
N. Fang, and K. Nagashio, "Accumulation-mode two-dimensional field-effect transistor: Operation mechanism and thickness scaling rule", ACS appl. mater. interfaces, 2018, 10, 32355-32364.
T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, & K. Nagashio, "Electrically inert h-BN/bilayer graphene interface in all-2D-heterostructure FETs", ACS appl. mater. interfaces, 2018, 10, 28780-28788.
R. Matsuoka, R. Sakamoto, K. Hoshiko, S. Sasaki, H. Masunaga, K. Nagashio, and H. Nishihara, "Crystalline graphdiyne nanosheets produced at a gas/liquid or liquid/liquid interface", J. Am. Chem. Soc., 2017, 139, 3145.
Y. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, and K. Nagashio, "Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal boron nitride", ACS nano, 2015, 9, 916.