喜多 浩之 准教授

所在地 113-8656東京都文京区本郷7-3-1 工学部4号館3階 441号室
TEL 03-5841-7164
FAX 03-5841-7164
kita[at]scio.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.scio.t.u-tokyo.ac.jp/index.html
研究分野 次世代半導体デバイス、ワイドギャップ半導体、酸化物ナノ絶縁膜、界面制御

主要研究内容

電子デバイスの開発において新たなマテリアルの導入が決定的な役割を担うようになり,より高い機能を持つマテリアルの探索と同時に,それを他のマテリアルと融合させた界面をデザインする研究の重要性が高まっています。そこで,先端半導体デバイスを始め,高効率エネルギー変換を目指したパワーデバイスや電子のスピン情報に基づいた磁性デバイスに注目し,機能性薄膜の物性制御と界面設計に関する研究を行っています。主な研究テーマには,
1) 高性能パワーデバイスのためのワイドギャップ半導体上の絶縁膜形成技術及びMOSFET高性能化技術の開発,
2) ゲート絶縁膜の物性制御と界面現象の解明,3)強磁性体薄膜の磁化に対する電界効果の基礎と応用,等があります。

主要研究論文

H. Hirai and K. Kita, "Difference of near-interface strain in SiO2 between thermal oxides grown on 4H-SiC by dry-O2 oxidation and H2O oxidation characterized by infrared spectroscopy", Appl. Phys. Lett. 110, 152104 (2017).
R. H. Kikuchi and K. Kita, "Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) Interface with Nearly ideal Capacitance-Voltage Characteristics by Thermal Oxidation", Appl. Phys. Lett. 105, 032106 (2014).
K. Kita, D. W. Abraham, M. J. Gajek, and D. C. Worledge,"Electric-Field-Control of Magnetic Anisotropy of Co0.6Fe0.2B0.2/Oxide Stacks Using Reduced Voltage", J. Appl. Phys. 112, 033919 (2012).
S.K. Wang, K.Kita, C.H. Lee, T. Tabata, T.Nishimura, K. Nagashio and A.Toriumi, "Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure", J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).
K. Kita and A. Toriumi, "Origin of Electric Dipoles Formed at High-k/SiO2 Interface", Appl. Phys. Lett. 94, 132902 (2009).