百瀬 健 講師

所在地 113-8656東京都文京区本郷 7-3-1 工学部 5号館 231号室
TEL 03-5841-7131
FAX 03-5841-7131
momo[at]dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp/
研究分野 超臨界流体薄膜形成(SCFD),超臨界流体物性,薄膜堆積プロセス,金属薄膜,誘電体薄膜,有機半導体薄膜,化学気相成長(CVD),有機金属気相エピタキシー(MOVPE)

主要研究内容

ある空間の中により高いあるいは多くの機能を与えようとしたとき,必然的に構造は複雑化してくる。電子・光デバイスではシリコン等のウェハ表面への微細な3次元構造の形成が求められ,構造材料では繊維強化複合材料や機能性薄膜の表面コートなどが求められるようになってきた。このことは,材料学に基づく機能設計・構造設計に加えて複雑な立体構造の形成技術の開発を示唆しており,我々は複雑な3次元構造に対し機能性材料を充填あるいは機能性薄膜をコートするプロセスの開発を行っている。具体的には,
1.超臨界流体中における化学反応を用いた新規薄膜合成(SCFD)プロセスの開発とデバイス応用
2.超臨界流体を用いた有機薄膜形成プロセスの創製と超高効率有機薄膜太陽電池への展開
3.パワーデバイス用高品質結晶GaN形成MOVPEプロセスの開発

主要研究論文

T. Momose,M. Sugiyama, E. Kondoh, and Y. Shimogaki, "Conformal Deposition and Gap-Filling of Copper into Ultra narrow Patterns by Supercritical Fluid Deposition", Appl. Phys. Express, 1 (2008) 097002. T. Momose, M. Sugiyama, E. Kondoh, and Y. Shimogaki, "Design of a multi-wafer reactor for supercritical fluid deposition of Cu in mass production: (1) Reaction mechanism and kinetics", J. Chem. Eng. Jpn., 47 (2014) 737-742. T. Momose, T. Kamiya, Y. Suzuki, S. Ravasio, C. Cavallotti, M. Sugiyama, and Y. Shimogaki, “Kinetic analysis of GaN-MOVPE via thickness profiles in the gas flow direction with systematically varied growth conditions”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 5 (2016) P164-P171.