鳥海 明 教授

所在地 113-8656東京都文京区本郷 7-3-1 工学部 4号館 413号室
TEL 03-5841-7120
FAX 03-5841-7158
toriumi[at]material.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp/top.html
研究分野 高誘電率薄膜物性、Ge-CMOS、グラフェン電子輸送物性、CMOSデバイス物理

主要研究内容

マテリアル工学における先端デバイス工学というのもおかしなものだと思うかもしれない。 しかし、よく考えてみるとデバイスの原点を支えているものは、ほとんどの場合、マテリアルそのものなのだ。 その特性をうまく使って、デバイスといっているが、実はマテリアルの特性を見ているのだ。 つまりマテリアルの研究から、はじめて新しいデバイスの芽が出てくると言ってもいいと思う。 そのなかで、我々はサイエンスとしても面白く、今現在でも役に立ち、そして将来にも価値のある研究をすすめたいと思っている。 研究だから、今はともかく将来に役に立てば良いという言い方もある。我々はそうは思っていない。 今役に立つことも重要であると考えている。ただ役に立ち方をしっかり考えなくてはいけない。 世の中を変えようという野心も結構、もっと地味な研究も結構、どちらも重要だ。ただ、我々が持っていたいのは、言い訳をするような研究はしない。 自分にプライドを持てる研究をしたい。この気持ちは何をやるにしても重要だ。
研究テーマは、極限的CMOS技術をモチーフにしながら、デバイス物理・材料物性的な観点での技術限界の突破をめざして設定している。
具体的には、
1) ナノメートル高誘電率ゲート絶縁膜(high-k膜)の材料および界面物性の解明,
2) Ge-CMOSをめざしたヘテロ界面物性の解析とデバイス物理,
3) グラフェンの電界効果による電子輸送特性,
4) 上記研究のすべてにわたって基本となる半導体物理,評価解析技術、特にキャリア移動度、ノイズ、トンネル電流などのモデリング
5) 酸化物薄膜半導体物性
などを行っている。上記は現在の研究テーマであり、テーマはこの他にも無限に拡がっている。

主要研究論文

T. Nishimura, C. H. Lee, K. Nagashio, and A. Toriumi, "Step and
Terrace Formation on Ge(111) Surface in H2 Annealing," Applied
Physics Express 5 (2012) 121301.
C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,
"Oxidation Rate Reduction of Ge with O2 Pressure Increase," Applied
Physics Express, 5 (2012)114001.
T. Tabata, K. Nagashio, and A. Toriumi, "Effect of High-Pressure Inert
Gas Annealing on AlON/Ge Gate Stacks," Applied Physics Express, 5
(2012) 091002.