内田 建 教授

所在地 113-8656東京都文京区本郷 7-3-1 工学部 4号館 439号室
TEL 03-5841-7102
FAX
uchidak[at]material.t.u-tokyo.ac.jp

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研究室 http://www.ssn.t.u-tokyo.ac.jp
研究分野 ナノスケール電子デバイス,ナノ材料中の輸送現象,分子センシング

主要研究内容

あらゆるモノがインターネットに接続されるモノのインターネット(Internet of Things: IoT)の時代が到来しています.IoT時代では,センサを内蔵する小型の端末があらゆるデータを収集し続け,蓄積された膨大なビッグデータを解析することで,有益な情報を獲得することが期待されています.本研究室では,IoT社会を実現するための低エネルギーなセンサや情報処理デバイスを,ナノスケールの電子材料の探求と活用により創製する研究を推進しています.最近の主な研究トピックは以下の通りです.
1. 金属ナノフィルムによる呼気中のガス成分センサ
2. ナノ電子材料の熱輸送解析と低エネルギーセンサへの応用
3. 絶縁膜/半導体界面における電子フォノン散乱の解析
4. 超分子およびナノ酸化物半導体センサ
5. 次世代情報処理デバイス

主要研究論文

T. Yokoyama, T. Tanaka, Y. Shimokawa, R. Yamachi, Y. Saito, and K. Uchida, “Pd-Functionalized, Suspended Graphene Nanosheet for Fast, Low-Energy Multimolecular Sensors,” ACS Appl. Nano Mater., 1 (2018) 3886.
T. Tanaka, S. Hoshino, T. Takahashi, and K. Uchida, “Nanoscale Pt thin film sensor for accurate detection of ppm level hydrogen in air at high humidity,” Sensors and Actuators B., 258 (2018) 913.
T. Ohashi, T. Tanaka, T. Takahashi, S. Oda, and K. Uchida, “Experimental study on deformation potential (Dac) in MOSFETs: Demonstration of increased Dac at MOS interfaces and its impact on electron mobility,” IEEE J. Electron Devices Soc., 4 (2016) 278.